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HMC6505ALC5/HMC6505ALC5TR微波加熱單支集成系統控制電路升頻器 ADI外盤

發布新聞時間段:2018-07-04 09:15:14     預覽:2683

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器,工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號轉換增益,以及 22 dBc 的邊帶抑制。HMC6505A 在可變增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混頻器,該混頻器由主動本地振蕩器 (LO) 驅動。提供 IF1 和 IF2 混頻器輸入,并需要采用外部 90° 混合模式選擇所需的邊帶。I/Q 混頻器拓撲結構減少了對不必要的邊帶進行過濾的需要。HMC6505A 是混合式單邊帶 (SSB) 升頻器組件的小型替代方案,它可以使用表面安裝制造技術,這消除了對引線鍵合的需要。

立維創展HMC6505A 展示 5 mm × 5 mm、32 接線鼻子無引線存儲芯片的載體 (LCC) 二極管封裝,可在 ?40°C 至 +85°C 的攝氏度範圍內工作中。HMC6505A 的評價板還可按需展示 。

品牌 型號 描述 貨期 庫存
ADI HMC6505ALC5
HMC6505ALC5TR
5.5 GHz 到 8.6 GHz,GaAs,MMIC,I/Q 升頻器 現貨 98


HMC6505A應用

  • 點到點和單點對多點無線電
  • 軍用雷達、電子戰 (EW) 和電子智能 (ELINT)
  • 衛星通信

  • 傳感器


HMC6505A優勢和特點

  • 轉換增益:15 dB(典型值)
  • 邊帶抑制:22 dBc(典型值)
  • 增益最大時的輸出 P1dB 壓縮:22 dBm(典型值)
  • 增益最大時的輸出 IP3:35 dBm(典型值)
  • LO 到 RF 隔離:4 dB(典型值)
  • LO 到 IF 隔離:9 dB(典型值)
  • RF 回波損耗:20 dB(典型值)
  • LO 回波損耗:10 dB(典型值)
  • IF 回波損耗:20 dB(典型值)
  • 裸焊盤,5 mm × 5 mm,32 端子,無引線芯片載體封裝

HMC6505A結構圖


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