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CGHV1J006D高壓力氮化鎵(GaN)高電子器材遷入率結晶管 外盤

發布公告周期:2019-02-22 14:16:56     閱覽:1824

6W,18.0GHz,GaN HEMT管芯
SKU:CGHV1J006D


Wolfspeed的CGHV1J006D一種利用0.25μm柵極的長度產生制作工藝的增碳硅襯底上的直流高壓氮化鎵(GaN)高光學搬遷率尖晶石管(HEMT)。這個GaN-on-SiC的產品包括出彩的中頻,提高效率基本特征。它常用做工作的頻段的范圍為10 MHz至18 GHz,40 V且具備著高穿透電阻的很多APP。

特征

  • 高達獨角獸18 GHz的操作步驟

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV1J006D 1周 200
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峰峰值的輸出瓦數 6W
APP 基礎網絡帶寬,40 V
典例的瓦數浮動使用率PAE 60%@ 10 GHz
典型的公率(PSAT) 6瓦
工作任務電壓電流 40 V
頻次 DC - 18.0 GHz
木箱型號
小數字信號增加收益 17 dB @ 10 GHz

示意圖



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