頒布時光:2019-02-22 10:22:17 搜索:1762
Wolfspeed的CGHV96050F2是炭化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子為了滿足電子時代發展的需求,移動率結晶體管(HEMT)。與相關技術工藝相對比,本身GaN內部連接(IM)FET具備表現出色的耗油率附帶學習效率。與硅或砷化鎵比較,GaN存在優秀的能,比如較高的相電壓擊穿相電壓,較高的是處于飽和狀態電子技術漂移效率和較高的熱傳導率。與GaAs多晶體管想必,GaN HEMT還作為不大的工作電壓密度計算公式和更寬的網絡帶寬。該IM FET選用不銹鋼/陶瓷制品蝶閥法蘭封口,存在最合適的電和性熱能。
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CREE
CGHV96050F2
1周
300
特征
頂值輸送瓦數 | 50W | |
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app | L股票頻譜/ S股票頻譜/ X股票頻譜/ C股票頻譜/ Ku股票頻譜 | |
典型的的工作電壓扣減工作效率PAE | 55% | |
典例工作效率(PSAT) | 80瓦 | |
額定功率增益控制 | 10聲音分貝 | |
運行電壓值 | 40 V | |
頻點 | 7.9 - 9.6 GHz | |
產品包裝的類型 | 輪緣 | |
外部適配 | 是 - 50Ω |
示意圖