AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總:寬度為2.5亳米(兩位1.25mmFET串連)。它是個裸模,可操作方法高達mg15千兆赫。它是可以出具40.5 dBm的典范過剩工作電壓。此大部分包含RoHS。
優點
將高達15GHz的高頻率操作步驟
在2GHz時增益值=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
技術應用
蜂窩無線網信號塔
wlan局域網共享、中繼器
Ck線VSAT
汽車雷達
各種測試分析儀器
軍事戰爭
頻率:DC-15GHz
增益值:21
P1dB(DBM):38.9
PSAT(DBM):40.5
VD(V):28
AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總:寬度為2.5亳米(兩位1.25mmFET串連)。它是個裸模,可操作方法高達mg15千兆赫。它是可以出具40.5 dBm的典范過剩工作電壓。此大部分包含RoHS。
優點
將高達15GHz的高頻率操作步驟
在2GHz時增益值=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
技術應用
蜂窩無線網信號塔
wlan局域網共享、中繼器
Ck線VSAT
汽車雷達
各種測試分析儀器
軍事戰爭