AM005WN-BI-R有的是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長度為0.5mm。它是一種個陶瓷圖片二極管封裝,本職工作次數高達12ghz。BI類型用到異常設定的淘瓷封裝,用到融入式的安裝方式英文,中含屈曲(BI-G)或直(BI)輸電線。封裝類型尾部的法蘭盤也代替交流電地線、頻射地線和熱通暢。此區域滿足RoHS。
基本特征
高達hg12GHz的低頻進行
增益控制=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56%@3GHz
外觀貼裝
可行熱管散熱的下層社會
使用
高各式各樣受到器
蜂窩無線網基站設備
寬帶網絡和窄帶縮放器
聲納
公測儀器設備
軍用
擾亂器