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AM012WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總長寬比為1.25厘米。它是在的瓷磚雙包操作步驟自由高達10千兆赫。BI一系列利用特殊的設置的瓷器封裝，利用置入式裝方式方法，含有變形（BI-G）或直（BI）絞線。芯片封裝側面的卡箍互相用在整流與地面、rf射頻與地面和熱管道。此一部分符合國家RoHS。

優點

高達模型10GHz的低頻控制

增益控制=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

表明貼裝

效果散熱性能的下層社會

軟件

高動態信息發送到器

蜂窩手機無線信號塔

帶寬和窄帶放縮器

預警雷達

公測檢測設備

中國國防

打擾器