AM025WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長度為2.5mm。它一個淘瓷芯片封裝,工作上工作頻率高達獨角獸8千兆赫。BI系例所選擇特別的開發的陶瓷制品封裝類型,所選擇嵌到式裝配行為,有帶彎折(BI-G)或直(BI)一定接地極線。封裝底端的活套法蘭互相用到電流一定接地極、微波射頻一定接地極和熱管道。此一些契合RoHS。
特色
將高達8GHz的高頻率作業
增加收益=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
單單從表面貼裝
可行風扇散熱的社會底層
使用
高最新接收入器
蜂窩無線數字移動基站
聯通寬帶和窄帶放縮器
統計
檢查檢測設備器
軍事
不干擾器