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Cree平臺的CMPA2560025F都是種通過氮化鎵（GaN）高電商移動率結晶狀體管（HEMT）的片式微波射頻集合電源電路（MMIC）。與硅或砷化鎵不同之處，GaN兼備更多的擊穿工作電壓工作電壓、更多的供大于求電商漂移運行速度和更多的熱導率。與Si和GaAs結晶狀體管不同之處，GaN-hemt還兼備更多的工作電壓強度和更寬的網絡上行帶寬。種MMIC是指這個兩極反響適合變小器，使比較寬的網絡上行帶寬能夠 在這個小的占磚面綠地面積的壓緊封裝，兼備銅鎢水冷器。

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