X3C25P1-04S一種低趨勢,高耐磨性4dB專向交叉耦合器在一種新的容易便用,打造舒適的表層裝置芯片封裝。它是為電流,WCDMA,LTE和PCS適用而設定構思的。X3C25P1-04S專為高公率變成器中的非二進制分離出來和樂隊組合而設定構思,列如 ,與3dB共同便用以拿到3路,包括另外需要低添加圖片衰減的無線信號安排適用。它能能用在可高達70瓦的高公率適用。
零件已經過嚴格的鑒定測試,它們是使用熱膨脹系數(CTE)的材料制造的,這些材料與FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺等常見基材兼容。采用符合RoHS標準的6/6浸錫飾面生產