EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口橫向為120μm,0.15毫米。T形全鋁鑄鐵閘門擁有低電阻功率和經驗豐富的準確性。
該電子元件表明出十分的高的跨導,所以形成十分的高的概率和低的噪音穩定性。
它以集成塊表現形式展示 ,包含借助孔相連接的源極,僅需控制柵線和漏極線。
EC2612-99F 晶體管
頻射上行寬帶(GHz): 整流-40增益值(dB):9.5躁聲指數公式(dB):1.5定購交貨時間:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口橫向為120μm,0.15毫米。T形全鋁鑄鐵閘門擁有低電阻功率和經驗豐富的準確性。
該電子元件表明出十分的高的跨導,所以形成十分的高的概率和低的噪音穩定性。
它以集成塊表現形式展示 ,包含借助孔相連接的源極,僅需控制柵線和漏極線。