所述CHS5104-FAB是能容在無引線表皮上的由于片式FET反射面旋鈕布置膠封金屬制瓷質6x6mm2包。
它開發用作從月球基地,在軍事到企業通信技術設備的范圍廣操作。
該用電線路用于pHEMT工藝設計研發,柵極粗度為0.25μm。
它以達到RoHS的SMD封口作為。
CHS5104-FAB 反射SPDT
rf射頻速率(GHz):DC-6損耗量(dB):1P-1dB復制粘貼(dBm):30底部隔離度(dB):30分類:透光的定貨貨期:3-4周所述CHS5104-FAB是能容在無引線表皮上的由于片式FET反射面旋鈕布置膠封金屬制瓷質6x6mm2包。
它開發用作從月球基地,在軍事到企業通信技術設備的范圍廣操作。
該用電線路用于pHEMT工藝設計研發,柵極粗度為0.25μm。
它以達到RoHS的SMD封口作為。