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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

更重要性能參數

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射帶寬起步（GHz）： 1.2-1.4小數據信息增益控制（dB）：20額定功率（W）：200相關的增益值（dB）： > 14P-1dB所在（dBm）：-PAE（％）： 52購貨交貨時間：3-4周

物品詳細情況說

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

越來越比較合適脈沖發生器預警雷達選用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT技術上給出的。它由于準MMIC能力。

它采取密封膠法蘭部衛浴陶瓷鋁合金電壓芯片封裝，可提高低鉆入和低熱擴散系數。