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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

決定性參數值

CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@頻點（GHz）： 14 @ 6工作上頻點（GHz）：至多6個是處于飽和狀態輸出功率（W）： 20PAE（％）@次數（GHz）： 60 @ 6訂購交貨時間：3-4周

物料祥情介紹英文

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該物品為雷達天線和聯通網絡等各方面RF交流電源APP出具普通和帶寬完成方法。

它是來源于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術應用開發技術的，或者尤其是遵循RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006消息的法律法規。

它以裸處理器形態提出了，從而還要異常匹配好電路系統。