CHK015AaQIA是無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為各樣rf射頻功效選用供應公用和寬帶網很好解決工作方案。很滿足雷達探測和聯通網絡等多職能app。
CHK015AaQIA是在0.5μm柵長的GaN HEMT施工工藝上設計規劃的。它所需兩個 外部切換電源電路。
確立了在低生產成本氟塑料封裝形式中具備低鉆入和低導熱系數的提出建議。
CHK015AaQIA 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@概率(GHz):18 @ 3工作任務頻點(GHz):頂多4個是處于飽和狀態輸出(W): 20PAE(%)@頻繁 (GHz): 55 @ 3進貨交貨:3-4周CHK015AaQIA是無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為各樣rf射頻功效選用供應公用和寬帶網很好解決工作方案。很滿足雷達探測和聯通網絡等多職能app。
CHK015AaQIA是在0.5μm柵長的GaN HEMT施工工藝上設計規劃的。它所需兩個 外部切換電源電路。
確立了在低生產成本氟塑料封裝形式中具備低鉆入和低導熱系數的提出建議。