CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為統計和聯通等多種RF外接電源利用出具適用和聯通寬帶防止方式。
該控制電路是在SiC襯底上選用0.25μm柵長的GaN HEMT技藝開發的。
它以裸集成ic模式提交,因此必須外一致三極管。
CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻帶寬度(GHz):17 @ 6事業速度(GHz): 敢達10GHz趨于穩定電功率(W): 14PAE(%)@平率(GHz): 70 @ 6訂購交貨時間:3-4周CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該成品為統計和聯通等多種RF外接電源利用出具適用和聯通寬帶防止方式。
該控制電路是在SiC襯底上選用0.25μm柵長的GaN HEMT技藝開發的。
它以裸集成ic模式提交,因此必須外一致三極管。