所述CHA5266-FAB是在無引線從表面上的3級片式砷化鎵中工作效率放小器配置密封合金材料瓷器6x6mm2包。
它設計的概念應用于從軍事到商用溝通整體的多應用。
該電路板用pHEMT施工工藝造成,柵極長為0.25μm,在基材的通孔,氣流橋和光電束柵神行者刻工藝造成。
它以適用RoHS的SMD封口給予。
CHA5266-FAB 放大器– MPA
微波射頻傳輸速率(GHZ):10-16收獲(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB打印輸出(dBm):26內容輸出功效(dBm):27.5進貨交貨:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線從表面上的3級片式砷化鎵中工作效率放小器配置密封合金材料瓷器6x6mm2包。
它設計的概念應用于從軍事到商用溝通整體的多應用。
該電路板用pHEMT施工工藝造成,柵極長為0.25μm,在基材的通孔,氣流橋和光電束柵神行者刻工藝造成。
它以適用RoHS的SMD封口給予。