CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路原理主要包括pHEMT工藝設計加工,柵極間距為0.25μm,使用的基板的通孔,暖空氣橋和電子廠束柵星空刻技術性加工。
它以適合RoHS的SMD二極管封裝打造。
CHA3688aQDG 放大器– LNA
rf射頻速率(GHZ):12.5-30增益控制(dB):26增益值同軸度(dB):2燥音因子(dB):2P-1dB輸出(dBm):14訂購交貨時間:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路原理主要包括pHEMT工藝設計加工,柵極間距為0.25μm,使用的基板的通孔,暖空氣橋和電子廠束柵星空刻技術性加工。
它以適合RoHS的SMD二極管封裝打造。