所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻寬單面低躁音增加器。
該電路設計能夠 準則的pHEMT制作工藝制造廠:柵極段長度0.25μm,能夠 基材的通孔,環境橋和智能電子束柵流星刻。
覺得適用無鉛單單從表面貼裝全封密合金瓷器6x6mm2封裝形式。總體電原為4V / 80mA。
該電路板專業級于月球基地APP,也非常的適用于各式微波射頻和mm毫米波APP和機系統。
CHA3666-FAB 放大器– LNA
頻射帶寬起步(GHZ): 6 - 16增益值(dB):21增加收益同軸度(dB):1躁聲比率(dB):1.8P-1dB內容輸出(dBm):17進貨交貨期:3-4周所述CHA3666-FAB是二級自偏置寬頻寬單面低躁音增加器。
該電路設計能夠 準則的pHEMT制作工藝制造廠:柵極段長度0.25μm,能夠 基材的通孔,環境橋和智能電子束柵流星刻。
覺得適用無鉛單單從表面貼裝全封密合金瓷器6x6mm2封裝形式。總體電原為4V / 80mA。
該電路板專業級于月球基地APP,也非常的適用于各式微波射頻和mm毫米波APP和機系統。