硅基氮化鎵寬帶晶體管,DC-6 GHz,5W,28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW,脈沖和線性操作而設計,采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,輸出功率水平高達5W(37 dBm)。在低于3GHz的頻率下,NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的移動寬帶運動
- NPTB00004的代替品品回落
- 排污質量高(> 55%)
- 制造業標準的朔料再生
- 28V方法
應用領域
- 中國航空航空與國家安全
- 寬帶網絡代用
- 國防教育網絡通信
- 注意
- VHF / UHF / L中波段雷達探測
- 無限基礎理論建筑設施