AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI類別的那組成部分。HiFET不是種這部分搭配的申請機設置,應用領域在髙壓、大電率和寬帶網應用領域。該配件的總機周圍為12.8毫米(mm)。AM032MH4-BI-R專為高電機功率紅外光適用而的設計,任務工作頻率高達模型6GHz。BI編使用特殊性裝修設計的工業陶瓷芯片封裝,可以彎曲的或挺直的引線和蝶閥法蘭盤使用放入式裝置習慣。標簽印刷邊側的蝶閥法蘭盤此外作為一個直流電壓跨接、微波射頻跨接和熱的通道。這類HiFET貼合RoHS規范標準。
表現
28伏漏極偏壓
帶寬部位連接:DC–2.4GHz
萬代高達6GHz的中頻運作
高增益值:G=19dB@2GHz
高工率:P1dB=35dBm@2.0GHz
高線型:IP3=50dBm@2.0GHz
有效地散熱的瓷磚封裝
選用
光纖寬帶用途
超高壓20至28V
無線路由本地網環道路絡
PC基站天線
WLAN、中繼器和超廣域網
C股票波段VSAT
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