AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI系例的有一部電影分。HiFET是一種種部位連接的知識產權裝置分配,用以高電壓、大電機功率和光纖寬帶應該用。該配件的總裝置外邊為12.8亳米。AM032MH4-BI-R專為高最大功率微波射頻運用而定制,業務次數高達到6GHz。BI類型所所采用特異設汁的瓷器封裝類型,耐折或挺立的引線和法蘭片盤所所采用添加圖片式組裝模式。再生頂端的法蘭片盤同一看作直流變壓器接地極線、微波射頻接地極線和熱管道。這一種HiFET具備RoHS基準。
表現
28伏漏極偏壓
網絡帶寬位置識別:DC–2.4GHz
自由高達6GHz的高頻控制
高增益值:G=19dB@2GHz
高公率:P1dB=35dBm@2.0GHz
高非線性:IP3=50dBm@2.0GHz
有效果導熱的陶瓷制品包裝設計
適用
聯通寬帶用
各類高壓20至28V
無線路由網上環鐵路網絡
PC通信基站
WLAN、中繼器和超內網
C光波VSAT
航天電子器材安全可靠