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徽波元電氣元件封裝
AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系類的這位置。HiFET一種區域搭配的專利局機械儀器運行環境，用作高壓力、大輸出、高規則化和寬帶網APP。該部分的總機械儀器周邊為4豪米。AM010MH4-BI-R專為高輸出功率微波通信應該用而的設計，工作上頻段達到了3GHz。BI款型用特種結構設計的陶瓷廠家打包封裝，彎折變形或直挺挺的引線和活套法蘭片用加入式裝辦法。標簽印刷上端的活套法蘭片同時充當直流電壓跨接線、微波射頻跨接線和熱工作區。這樣HiFET符合要求RoHS原則。
特點
28V漏極偏壓
移動寬帶位置自動匹配：DC–2.4GHz
達到3 GHz的中頻方法
高增加收益：G=19dB@2.0GHz
高瓦數：P1dB=31dBm@2.0GHz
高規則化：IP3=46dBm@2.0GHz
有郊散熱的瓷磚進行包裝
利用
寬帶網應該用
高電壓20至28V
無線網絡本市環公路網絡
PC信號塔
WLAN、中繼器和超的局域網
C光波VSAT
航空公司電子元器件通訊