欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区

60W雙極RF線NPN硅功率晶體管2N6439

2018-11-19 14:43:45 60W雙極RF線NPN硅工作功率納米線管2N6439，225至400MHz，28V 重點結構設計用以225至400 MHz率條件的聯通寬帶大警報打出擴大器級。

GaAs肖特基二極管MGS901——MACOM現貨

2018-11-15 13:53:12 GaAs肖特基電感MGS901—MACOM現貨交易，COM的MGS系列表GaAs肖特基電感專為在60 GHz辦公的毫米（mm）波部件展示適宜機械性能。

SW-313-PIN低功耗砷化鎵場效應晶體管

2018-11-15 13:50:10 SW-313-PIN低顯卡顯卡功耗砷化鎵場負效應多晶體管，該集成電路芯片封裝在16引線衛浴陶瓷接觸面安轉封裝中，在長期保持低顯卡顯卡功耗的互相，提供數據了從直流電到3GHz的優質能力和重疊性。

AM090WX-CU-R陶瓷封裝GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34 AM090WX-CU-R陶瓷廠家制品裝封GaAs上班電機功率PHEMT DC-8GHz，這一部電影分的總平板閘門長度為9mm。AM090WX-CU-R是為高上班電機功率微波加熱軟件應用而開發的，上班的頻率可達到8GHz。CU全系列是幫著開發的陶瓷廠家制品裝封，包括直引線和插裝式法蘭片。

陶瓷封裝砷化鎵功率PHEMT雷達S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59 衛浴陶瓷裝封砷化鎵瓦數PHEMT雷達探測S頻譜AM060WX-BI-R，這這地方的總柵極大小為6mm。AM060WX-BI-R是為高瓦數微波加熱選用而來設計的，任務工作頻率超過10 GHz。

C波段射頻晶體管雷達AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54 Ck線rf射頻多晶體管聲納AM030WX-BI-R，其總柵極長寬比為3.0mm。它選用瓷磚BI裝封形式，的工作頻率會達10GHz。BI裝封形式選用層次性結構設計的瓷磚裝封形式，擁有可以彎曲的（BI-G）或垂直（BI）引線，選用嵌入式裝配習慣。

超寬帶射頻晶體管驅動放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42 AMCOM的AM010WX-BI-R是一種個離散的GaAs PHEMT，其總柵極長度為1.0mm。它是在瓷器BI芯片封裝形式，開機運行自由高達12千兆赫。BI系列產品便用特出方案的瓷器芯片封裝形式，存在彎折（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝方式。

Anritsu 擰入式接頭V102M-R

2018-11-08 14:04:49 Anritsu 擰入式聯系頭V102M-R，Anritsu 展示了微帶韌性觸片（"滾動條觸體"）。 該觸體能訓練方法夠在發生平均溫度變動、的碰撞或抖動時對聯系展示自我保護。 V110-1 不適用到跡線總寬為 0.15 毫米左右的微帶和共水平線波導。

V 凹型凸緣啟動器V103F-R

2018-11-08 11:31:15 V 凹型凸緣開機器V103F-R，Anritsu 給予了 V110-1 去應力比觸體（也通常是指“翻轉觸體”）， 該觸身體素質夠在造成濕度影響、相碰或抖動時對聯系給予自我保護。 該型號的觸體適合于跡線總寬為 0.15 公分的微帶和共三視圖波導。 當用來共三視圖波導時，某個項目師會分為插針重重疊疊設置，這種就可以將插針可以直接焊接生產到跡線上游戲。

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20 V103-R 可與 V100 佛珠或 V100B 密封圈式佛珠協調一致綜合。nritsu 提供了數據了 V110-1 微帶剛性觸片 （也稱呼"翻轉觸體"）， 該觸體能訓練夠在的發生水溫影響、摩擦或振動模式時對鏈接提供了數據維護。 該型號規格的觸體適用人群于跡線長度為 0.15 直徑的微帶和共剖面波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16 雷達探測微波微波射頻硫化鋅管AM005WX-BI-R，其總柵極橫向為0.5mm。它是在淘瓷BI裝封形式，程序運行高達獨角獸12千兆赫。BI產品利用異常構思的淘瓷裝封形式，還具有內彎（Bi-G）或直（BI）引線的安裝形式。裝封形式下面的卡箍同時作直流電跨接、微波微波射頻跨接和熱路。這不分是適合RoHS標準的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48 C股票波段VSAT高公率寬帶網網廣泛應用領域軟件AM032MH4-BI-R，HIFET是局部配備的知識產權機器設備手機配置，用在高額定電壓、高公率和寬帶網網廣泛應用領域軟件。該電子元元器件的總電子元元器件周邊為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高公率微波射頻廣泛應用領域軟件而定制的，工作的頻點高達到6GHz。BI系統運用本身獨特定制的陶瓷圖片打包封裝，兼具彎折或直線行駛的引線和凸緣配置方式英文。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45 Sk線低壓砷化鎵場相互作用尖晶石管AM030MH4-BI-R ，HIFET是區域搭配的發明專利機分配的高額定電壓，高功效，高平滑度和寬帶網軟件。該元集成電路芯片封裝的總元集成電路芯片封裝內圍為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56 North Hills的0319NA帶寬變電器，NA編的帶寬變電器涵蓋了0.1至300 MHz的概率超范圍內的多種集成運放配備。氟塑料再生制作用以添加圖片印刷制版集成運放板。*North Hillsapp注音151-“帶寬變電器”保證了至于巴倫變電器主題詞的進那步企業信息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41 0320BF/0322BF共模注射到口BF產品和平點4g電磁波更改器，這件箱式電力變壓器在0.1到100MHz的平率超范圍內給予了極度和平點的豎向4g電磁波源。在本身實際情況下，和平點指的是某個腿相對比較于房屋地面的線電壓之比。BF產品箱式電力變壓器享有內裝共模4g電磁波注射到集成運放，為測量方法和平點或UTP整體對嘈音和抑制的易非理性給予了人生理想的伎倆。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低放和跳轉衰減巴倫低壓變壓器，由不和平繞阻和學校抽頭和平繞阻組合的和平環，正向傳接最大功率，的兩個方面相匹配。North Hills巴倫斯精密模具建設項目低放和回波衰減。優越的的和平是使用內心相交的形式來實現目標的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447極高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫出具了側量控制電路性至1.2GHz的單純和真接的辦法。極高頻巴倫適應指定的方向的電位差，和為低讀取和回波消耗的資金通過了精密模具規劃。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，普通的用途1千赫茲- 125兆赫，由不穩定性線圈和中間抽頭穩定性線圈形成的穩定性環，雙邊轉遞瓦數，兩種方向上連接。北山巴倫斯精密加工項目工程低添加圖片和回波消耗的資金。領先的穩定性是能夠內部相對性的格局來完成的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L波長低壓砷化鎵場現象多晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是低壓、高電機工率、高規則化和帶寬技術用的這部分配比專利權機器設備分配。該集成電路芯片的總集成電路芯片外圍網為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電機工率微波加熱技術用而裝修設計的，工作上率獨角獸高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S中波段高收獲高工做效率砷化鎵場調節作用尖晶石管AM120MH2-BI-R，HIFET是部門篩選的高新產品的設備設置，于高線電壓、高工做效率和聯通寬帶廣泛軟件應用。該電子集成電路芯片的總電子集成電路芯片外部為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高工做效率微波通信廣泛軟件應用而方案的，工做頻繁 超過6GHz。BI系列作品用屬于特俗方案的瓷器封口，擁有屈曲或線路的引線安裝途徑。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場邊際效應尖晶石管高電壓值高運作電壓和聯通寬帶運用AM010MH2-BI-R，該集成電路芯片的總集成電路芯片外圍網為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高運作電壓徽波運用而設計方案構思的，運作幀率獨角獸高達6GHz。BI全系列運用有一種特定設計方案構思的瓷器打包封裝，擁有彎折變形或雙曲線的引線裝配策略。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X頻譜低噪音分貝縮放器集成電路板芯片是噪音分貝標準值很低的縮放器。一半代替分類遠程電收機的高頻或中頻內置縮放器，已經高敏感度手機測探裝備的縮放電路板。在縮放很弱數字數據信號的環境，縮放器自的噪音分貝對數字數據信號的干擾信號有可能管得嚴重，往往愿意縮減這類噪音分貝，以提升 讀取的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 Ck線PCS移動基站飛機維修電子無線通迅AM005MH2-BI-R。HIFET是的部分搭配的知識產權的設備硬件配置，用到高端電壓、高最大額定馬力和寬帶網絡使用。該器材的總器材外面為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高最大額定馬力微波通信使用而構思的，運行幾率多達6 GHz。它也是越大最大額定馬力器材的理想型帶動器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段頻射砷化鎵場作用電額定功率管AM300MX-CU-R，這一臺分的總平板閘門厚度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電額定功率紅外光應用而來設置的，事情速率高達獨角獸6GHz。Cu系列表采用了的特出來設置的陶瓷制品封口，還具有懸垂的引線和凸緣的安裝程序模式。封口頂端的卡箍另外成為直流電一定接地線、頻射一定接地線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高額定電功率紅外光頻射單晶體管AM200MX-CU-R，這一步分的總閥門長寬比為20mm。AM200 MX-CU-R是為高額定電功率紅外光用途而方案的，的工作頻率獨角獸高達6GHz。Cu類別一種特殊的方案的陶瓷制品裝封，享有直線條式引線和凸緣施工式。裝封底端的活套法蘭同一時間有所作為電流接地保護線、頻射接地保護線和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C光波VSAT砷化鎵場定律輸出公率管AM150MX-CU-R ，這一部電影分的總柵極高度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高輸出公率徽波技術應用而裝修設計的，操作聲音頻率高達模型6GHz。Cu一系列一種異常裝修設計的陶瓷制品裝封，有著線路式引線和凸緣連接式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 Lk線Sk線大工率砷化鎵工率場效果單晶體管AM100MX-CU-R，這一個分的總柵極凈寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高工率微波通信利用而開發構思的，工作任務工作頻率敢達6GHz。Cu系是一種種特色開發構思的瓷器打包封裝，具漸漸式引線和凸緣安裝式。打包封裝頂端的法蘭部同時充當交流電與地面、rf射頻與地面和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P頻譜高額定電功率紅外光通信APP砷化鎵MESFET器材AM072MX-CU-R，莫言的作品分有長個全方面的學習7.2mm門的寬。在AM072MX-CU-R是自愿開發的用以高額定電功率紅外光通信APP，實操到6GHz。學習銅系統的像片，是在是某個自愿開發的陶瓷圖片紙盒包裝與直導和Cu / W的蓋在是某個下拉的連接措施。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L光波S光波高瓦數紅外光軟件設計的頻射硫化鋅管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C頻譜S頻譜頻射單晶體管AM036MX-QG-R，這一個分的總柵極屏幕寬度匹配為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高額定功率微波加熱應用領域而設計構思的，事情聲音頻率獨角獸高達6GHz。