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描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙款型GaAs HIFET的三大部份。HIFET是大部份匹配好的著作權設配設置的高電壓值，高事情電功率，高曲線度和帶寬選用。該電子元元器件的總電子元元器件周圍為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高事情電功率紅外光選用而設汁的概念的，事情聲音頻率高達mg3GHz。BI款型主要采用其中一種特異設汁的概念的陶瓷廠家芯片封裝形式，擁有回彎或蹭蹭蹭蹭的引線和凸緣布置行為。芯片封裝形式最下面的法蘭部與此同時用作直流電壓跨接、頻射跨接和熱路。這種HiFET是貼合RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

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特征
28伏
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
應用于有效率排熱的瓷質封裝類型

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信