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運行兼備獨自柵極偏置的控制的并行執行結晶管的GaN HEMT擴大器的非線性增強學習

發表時刻：2018-05-04 13:53:07     看：9327

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：選用還具有單獨柵極偏置掌握的串并聯結晶管的GaN HEMT增加器的線型資料。 GaN HEMT兼有較高的輸出額定電機功率相對密度和較寬的資源帶寬使用率。是，GaN HEMT的曲線典型案例地比GaAs電機功率元件的曲線更差。文中說出打了個種簡略的技巧來上升GaN HEMT的曲線度。所說出的技巧是將電機功率元件分紅與人格獨立有效控制的柵極偏置相電壓電容串聯的各個子單位，但是將額定電機功率合而且為子單位輸出。類似的圖像放大電路..
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