欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区

描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙題材的是一方面。HIFET是方面非常符合的國家專利設施設備配值，用以高電流值、高效率和寬帶網app。該元件的總元件周邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高效率徽波app而結構來設計的，崗位頻點自由高達6GHz。BI題材使用其中一種特出結構來設計的陶瓷制品打包封裝形式，具備打彎或直線方程的引線進行安裝措施。打包封裝形式底端的法蘭部此外當做直流變壓器的接地裝置、微波射頻的接地裝置和熱路。這一HiFET是非常符合RoHS標準規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

如若您需要購買AM120MH2-BI-R，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
使用有效性排熱的陶瓷廠家芯片封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信