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當我們報表一個多個高安全性能指標的GaN MMIC電機瓦數變大器工做在40MHz到400MHz相互間。這位確保80W輸入脈沖發生器（100US輸入脈沖發生器長度和10%占空比）MMIC循環系統）導出電機瓦數（P5dB），40MHz，50W的應用率為54%要花費30%的的應用率在大個部分的間波長，與在400MHz時，的應用率急劇降底到30W，的應用率為22%。40-400MHz頻段的電機瓦數增益值為25dB。這位寬度帶安全性能指標是根據打版裝置來確保的。導出抗阻，并應用獨一無二的網絡帶寬電源集成運放搭配拓撲關系學。二種裝置的基本規劃枝術并總結出搭配電源集成運放。分指數法律條文-網絡帶寬變大器，高直流電壓枝術，紅外光功率器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
品類（圖2）。直流電偏置電壓值和頻射傳輸精度特性電位差這些HIFET都1.4mm政府部門電池的四倍。設施，非常是在高頻段。憑借適宜的決定政府部門單園產品的尺寸和單園單園產品的數目品類，人們就能夠升級優化HIFET傳輸精度特性電位差為快要50歐姆，以推動網絡帶寬耐磨性。