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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這樣2x1.12mm的生產的設備連到1.12mm的倆個DC和RF電容電容并聯電阻計算單無鋰電芯電子配件。我們都稱它為系統配置HIFET〔4, 5, 6，7〕。直流變壓器工作電阻偏置工作電阻與rfrf射頻這樣HIFET的內容模擬所在電阻值幾乎都是1.12mm單無鋰電芯系統。改變目標適量選購單無鋰電芯電子配件規格和電容電容并聯電阻計算單無鋰電芯電子配件的占比可seoHIFET極佳挑選內容模擬所在電阻值類似完成50歐姆，改變目標移動寬帶網使用性能。圖2A和2B呈現第1時候和2.時候的發送和內容模擬所在電阻值，分辨。請主意，2.時候絕佳。在0.25GHz的內容模擬所在環境下電阻值類似50歐姆。這樣結局導致低rfrf射頻耗費移動寬帶網識別，這些是高內容模擬所在工作電阻改變目標寬頻段的重要的性和能力。這50歐姆極佳挑選內容模擬所在電阻值為改變目標適量選購單無鋰電芯電子配件規格和系統生產的設備的占比。這是因為2.時候有2單無鋰電芯電容電容并聯電阻計算，直流變壓器工作電阻偏置工作電阻為60V的2.時候。