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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具備科學規范果的輸出最大輸出導熱系數和移動寬帶寬下的科學規范率。是GaN HEMT的直線網絡度一般性比GaAs配件的直線網絡度差。從文中系統闡述一堆種輕松的方式 來優化GaN HEMT的直線網絡度。所系統闡述的方式 是將配件劃分為與獨有操縱的柵極偏置電壓電流串并聯的個子象限，接下來對仗象限效果完成的輸出最大輸出組成。

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