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X3C09P2-30S是個低剖面，高耐熱性30dB定向生耦合電路器在個新的也容易操作，研制舒適的表皮使用包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段采用而設計的。X3C09P2-30S專為電率和頻繁監測同時VSWR探測而方案，在類似這些時候下，需用相輔相成保持合體和低放進去損耗率。它可作于到達225瓦的大瓦數軟件應用。

所需要的零部件經過從緊的簽定各種測試，并便用熱膨漲常數（CTE）與常見的柔性板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺）兼容的材料研制。分為符合標準6/6 RoHS條件的浸錫解決工藝設計生育。

X3C09P2-30S特色：

800-1000兆赫

AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段

高輸出

尤其低的消耗的資金

嚴密耦合電路

高目標全局性

生孩子信賴型

磁帶和卷盤

無鉛

X3C09P2-30S重要性性能參數

幾率（GHZ）：0.8 - 1

電機功率（W）：225

復制到消耗的資金（dB）：0.075

回波自然損耗（dB）：24.9

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