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小結-GaN電子電子元器件極具與GaAs電子電子元器件很的噪音污染源因子，同一時間也還可以承載相對高的讀取驅動安裝器。這段話了解了2～4GHz(S光波)Pout～37dBm的GaN低噪音污染源放小器(LNA)、1．8～3．5dB噪音污染源因子(NF)和48～54dBm導出考生三階截距點(OIP3)的結構設計。憑借將柵極外邊為2.5mm的導出級劃分1.25mm的好幾個部位并調優其偏置，還可以增加線型特性參數。偏置好幾個FET的不一樣誘發IMD1分量的相位祛除和OIP3特性參數的增加。實驗性可是發現，在AB類柵極偏置和深AB類柵極偏置時，OIP3可增加9.5dBm。線型度FOM（OIP3/PDC）也得到了有效改善，在較高的噘嘴時超過14。氮化鎵（GaN），S光波，LNA，線型化，OIP3。

一、引言
GaN HEMT技術正在成為雷達、電子對抗和無線通信應用的首選技術。與傳統技術（GaAs、CMOS、SiGe）相比，GaN器件在微波頻率下具有高的輸出阻抗，因此可以提供非常高的輸出功率、高擊穿和較寬的工作帶寬。GaN器件具有與GaAs類似的噪聲系數，并且能夠承受高輸入功率電平。這消除了常規接收機中使用的限幅器電路的需要。同時，LNA線性度在惡劣環境下對微波接收機是一個挑戰[1]-[2]。本文提出了一種具有高OIP3的線性GaN-LNA。基本的方法是將晶體管分成多個較小的并行柵極，并分別對它們進行偏置。通過獨立地改變每個晶體管的偏壓，可以提高線性度。在以前的工作中，將該技術應用于GaN PA，在中等和高輸出功率電平下觀察到了改進[3]。在本文中，我們將此技術應用于GaN LNA，并看到在較低和更高輸出功率電平的改進。據作者所知，這是首次使用該技術改進GaN LNA的線性度。

二。線性化方法
通過在感興趣的頻率附近向放大器輸入施加雙音信號，模擬電路的線性度。為了獲得具有較好OIP3的電路，其思想是通過相位抵消來降低三階互調產物的功率電平。

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