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?最后代650 V裸片SiC MOSFET

發部時光:2025-01-03 16:57:39     手機瀏覽:738

行同行業超頂尖級導通熱敏電阻和打開消耗,會建立較佳性能方面和馬力比熱容參數設置。

Wolfspeed利用三、代650 V SiC MOSFET新增了其氧化硅(SiC)技術上的制約實力。在更全面性的輸配電控制系統中需求休型更小、總重更輕、最高效的輸配電和轉化了。650 V SiC MOSFET是效能菁英企業開關電源、業務器/電信寬帶網絡上24v電源、新能量電動伸縮車(EV)進行充電配置、全釩液流電池儀器、作為應急的電原(UPS)和充電控制系統的等系統的較好使用。

特色

冷藏生態的低導通熱敏電阻

低內寄生電感

遵循非常低逆向灰復的高效能肖特基二極管

一直高溫高壓把控(Tj=175°C)

MOSFET.png

優點

憑借懂得調整按鈕開關和發送損耗率提升系統高效率

完成高轉換開關次數調節

提供系統級工率規格參數表

削減傳動裝置技術參數;容量;和散熱需求

明顯應用領域

實業電源線

服務于器/聯通數據網絡數據網絡

新電力能源能新能源充電樁裝備

微電網設配(ESS)

應對電源開關(UPS)

鋰電菅理系統(BMS)

CREE科銳于2017年離心分離出微波加熱rf射頻知名品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大工率擴大器好產品為獨具特色。

山東市立維創展科學技術是CREE的供應商商,存在CREE徽波元件資源優勢供應橋梁,信用分衡量原版正品行貨。

*大部分款型需申辦英國出口商可證。內容了解到很多型號查詢,歡迎會在線咨詢立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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