上線的時間:2024-12-17 11:21:28 搜素:784
CREE擴充了其在氧化硅(SiC)技巧中的核心身份,低電感分立二極管封裝擁有寬沿面和漏極與源極兩者之間的間距路程(~8mm)。900 V分立氧化硅MOSFET比較靈活用新的的MOSFET電子器件高頻耐熱性,如果展示 軟件應用于高的污染壞境的超支電防護隔離。單獨的開爾文源管腳削減了馬力電感;最終得以觸點開關消耗的資金削減了30%。開發師可不需要利用自身從硅基電子助力硅基來大大減少器材數據;憑借提高換為開關耐腐蝕性,可不需要憑借三電平拓補關系換為成更高些效的兩電平拓補關系。
顯著特點
在整體布局運行溫度因素超范圍內,更低電流電壓是900V Vbr
帶動力源的低抗阻封裝
高阻絕電阻值,低RDS(啟用)
低正向回到(Qrr)的科學規范本征場效應管
重要于串聯,選擇容易
優勢
實現減掉轉換開關和傳輸耗費改善機系統學習效率
建立高電源開關工作頻率控制
增強裝置級耗油率密度單位
調低機系統的規模;凈重量;和冷凝要求
重新啟動新的硬觸點開關拓撲結構(Totem Pole PFC)
常見適用
馬達控制軟件
新生物質能源e新能源充電樁體系
緊急救援24v電源(UPS)
鋰電池測驗整體
新生物質能自高鐵動車極速版手機充電設計
汽車導航充值器
傳動鏈齒輪傳動
電焊焊接流程
鄭州市立維創展技術十分有限企業授權許可生產商CREE微波通信功率器件,如果需購CREE成品,請打開右邊客服熱線鏈接我們大家!!!
Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package |
C3M0065090D | 900 V | 65 mΩ | 36 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0280090D | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0030090K | 900 V | 30 mΩ | 63 A | 150 °C | TO-247-4 |
C3M0065090J | 900 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0120090J | 900 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0280090J | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-263-7 |