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CHA2190-99F是款兩極自偏置移動寬帶單支低噪音放縮器。
CHA2190-99F用到規范的pHEMT造成技術:柵極盡寸為0.25μm,基于的基板上的通孔、大氣橋和電子新技術束柵幻影刻新技術。
CHA2190-99F以集成ic主要形式具備。
重要共同點
20-30GHz移動寬帶性
2.2dB相位噪音分貝
15dB增益控制值,±0.5dB增加收益值整潔度
低直流電電工作耗損率,50mA
20dBm三階得到點
芯片封裝大小:1.670 x 1.03x 0.1mm
成都 市立維創展新材料技術不多公司的權限銷售UMS微波射頻,對區域型號的UMS護膚品展示 高品質的現貨平臺護膚品倉庫,歡迎大家服務咨詢。
Reference | RF Bandwidth (GHz) | Gain | Gain Flatness | Noise Figure | P-1dB OUT | Bias | Bias | Case | |
min | max | ||||||||
CHA2190-99F | 20 | 30 | 15 | 0.5 | 2.2 | 11 | 50 | 4 | Die |