推出時間間隔:2024-12-02 17:14:36 網頁瀏覽:777
CMPA0060002D是一種種帶異氮化鎵(GaN)高電子廠變更率多晶體管(HEMT)的片式微波通信結合集成運放(MMIC)。與硅或砷化鎵想必較,GaN體現了更良好的安全性能,其中包含極高的穿透場強、極高的是處于飽和狀態電子技術漂移網絡快與慢極高的傳熱公式。與Si和GaAs單晶體管比起較,GaN HEMT還提高更高些的輸出功率導熱系數和更寬的傳輸速率。CMPA0060002D用到布局式(導波)增加器設計的指導思想,能夠在更小的占面積內體現極寬的上行寬帶。
共同點
?17 dB小表現增加收益值
?2 W主要PSAT
?電機額定功率電阻萬代高達28V
?高電壓擊穿場強
?中高溫度采用
?寬度0.169 x 0.066 x 0.0045英寸
技術應用
?寬度帶調小器
?金屬線伺服驅動器器
?自測機
?EMC放小器安裝控制器
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