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GTRB246608FC-V1是CREE的有款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子器件變遷率納米線管（HEMT），秉承于多標蜂窩狀額定功率縮放器用需求量設計構思。GTRB246608FC-V1應具高效性率和無軸環的熱明顯增強封裝形式。

商品品種

講述：高輸出RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最高的人頻次（MHz）：2400

增益值（dB）：15.7

二極管封裝等級分類：Earless

特色

典型性脈沖激光CW效能，2400 MHz，48 V，10μs電磁頻點，10%占空比，整合輸入

P4dB=600 W時的輸出精度瓦數

P4dB=60%時的成功率

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