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WS1A2639-V1-R3K是CREE的是一款非等勢面多赫蒂額定功率調小器模塊電源（PAM），將GaN on SiC技能應用軟件和意式化的適應和偏置輸出功率網絡數據智能家居控制在要具備中低端導熱系統的的雙層層壓基面材料上。WS1A2639-V1-R3K頻次條件在2496 MHz至2690 MHz。如果動用最多50V的交流電源電壓電流；基準差模擬輸出工率基準為6至8 W，最快值指數公式減退，數字6預失事實LTE和5G NR數據統計無線信號，瞬時下行帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被禁裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）裝封中。

產品的尺寸規格

陳述：38.5dBmGaN on SiC功效變小器電源模塊；2496-2690MHz

至少規律（MHz）：2496

最高的人概率（MHz）：2690

P3dB導出熱效率（W）：50

增益控制值（dB）：16.5

高效率（%）：57

特殊電流電壓（V）：48

封裝類型專業類別：表明貼裝

封裝形式形式：封裝形式形式分立氯化鈉晶體管

技術水平技術運用：SiC上的GaN

癥狀

GaN基SiC技術性應用軟件

從元件兩旁為重導和上限值子放小器享有柵極偏置輸出功率電原

融合化諧波POS機

無鉛并實現RoHS要求

推存的動力裝配是WSGPA01

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