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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子設備挪動率晶胞管（HEMT），應該用在多準則蜂窩狀熱效率變大器技術水平應該用。GTRB226002FC-V1有有效化和無軸環的熱強化封裝手段手段。

貨品規模

具體分析：SiC HEMT上的高公率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最小幾率（MHz）：2110

最多速度（MHz）：2200

P3dB所在效率（W）：450

收獲值（dB）：15

成功率（%）：60

表現形式

典例的脈寬CW性：10μs脈沖激光寬，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty組合夾具工作效率=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的傳輸電功率

女模特模板1B級（只能根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低導熱系數

無鉛并夠滿足RoHS標準單位

GaN基SiC HEMT技藝

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