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GTRB204402FC/1是CREE的這款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子挪動率結晶體管（HEMT），堅持創新驅動于多的標準蜂窩狀熱效率調大器枝術APP需要設計的。GTRB204402FC提供快速率和無軸環的熱不斷增強封裝形式。

商品技術參數

詳述：SiC HEMT上的高馬力RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

低點概率（MHz）：1930

是最高的次數（MHz）：2020

P3dB內容輸出輸出（W）：350

增加收益值（dB）：16.3

有吸收率（%）：58

額定容量線電壓（V）：48

封口專業類別：Earless

封裝類型：封裝類型分立硫化鋅管

技能：SiC上的GaN

本質特征

典型示范的激光脈沖CW穩定性，2020 MHz，48 V，10μs智能長度，10%pwm占空比，組和輸出

P3dB=350W時的輸送輸出阻抗

P3dB時的更高速率=65%

嫩模建模 1C級（隨著ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并考慮RoHS標準規范

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