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?PXAE263708NB-V1 S股票波段大電功率rf射頻LDMOS場反應結晶管

發布公告時候:2024-11-04 16:57:13     瀏覽記錄:779

PXAE263708NB-V1是CREE的這款400瓦(P3dB)LDMOS FET,APP于2620至2690 MHz頻段的多規定蜂窩狀最大功率變小器的技術使用。包含了進入輸入輸出支持;高增加收益并且兼有無突緣的熱怎強芯片封裝狀態。PXAE263708NB-V1利用特別的LDMOS加工過程技巧;PXAE263708NB-V1還具有好的熱比較穩確定和優秀的穩定耐磨性。

PXAE263708NB-V1.png

產品的規格尺寸

結合:高馬力RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

很低頻繁 (MHz):2620

較高的頻率(MHz):2690

P3dB工作輸出效率(W):400

增加收益(dB):13.5

熱效率(%):47

額定負載的電壓(V):28

封裝形式類屬:泡沫塑料

裝封:裝封狀態分立氯化鈉晶體管

技術性:LDMOS

本質特征

移動寬帶內壁鍵盤輸入傷害適用

非相交性Doherty設計的概念:主P1dB=140W典型案例值;最大值P1dB=260 W具代表性值

一般的脈寬CW性質;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的輸出額定功率;P3dB=400W時的傷害電率;質量=49%(POUT=57 W平均值);增益值=15 dB(POUT=57 W標準差)

才能正確處理32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)的輸出效率

集成化化ESD保護性

無鉛并滿足需要RoHS標準單位

長沙市市立維創展現代科技十分有限平臺授權文件銷售CREE微波射頻元器件封裝,假如必須要購CREE類產品,請彈窗右下客戶服務找我們的!!!

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