欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区

CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D方法增加器，使于多的標準蜂窩狀工作效率增加器技能適用。GTVA261802FC-V1具備著設置適應、更高效率高和無軸環熱開展封裝的特質。

物料技術參數

論述：SiC HEMT上的高工作功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

比較低的頻率（MHz）：2620

大的率（MHz）：2690

P3dB輸出電壓最大功率（W）：170

收獲值（dB）：16.8

高效、性價比最高率（%）：43

載荷系數交流電壓（V）：48

芯片封裝品類：Earless

封裝：封裝分立尖晶石管

方法：SiC上的GaN

特色

?GaN-on-SiC HEMT技木

?錄入更換

?典型示范的輸入脈沖CW使用性能，搭檔的輸出，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖激光間距，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的轉換熱效率

-P3dB時的漏較高有效率=65.5%

-P3dB=15dB時的增益值值

?就可以來完成48 V、180 W（CW）模擬輸出耗油率下10:1的VSWR

?模特兒模式化1A級（要根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱比率

?無鉛并充分滿足RoHS要求

廣州 市立維創展科技創新有限制企業權限經銷商CREE微波射頻電子元器件，要是可以購CREE商品，請鼠標點擊右下qq客服鏈接自己！！！