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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是種寬帶網絡晶狀體管基帶芯片，涉及DC-3.5 GHz運行展開了SEO優化。該電子無線網絡器件適配CW，脈沖發生器和非線性運行，輸出電壓最大功率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常的支持于國防教育安全可靠，陸上電信手機無線網絡電，航材電子無線網絡機，手機無線網絡依據場地設施，ISM應用領域和VHF / UHF / L / S光波汽車雷達。通過SIGANTIC®工藝流程手工制造 - 另外一種專有的GaN-on-Silicon科技。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是亞洲地區獨一無二想開用以微波射頻軟件的GaN on Si水平批售商。我在Si RF最大工作熱熱效率多硫化鋅管新成品上保證寬泛的間斷性波（CW）GaN，用作分立電子元器件和功能，構思上班在DC至6 GHz。我的高最大工作熱熱效率CW和線型多硫化鋅管是軍用民航電子生產設備，溝通，微信網絡，長脈寬雷達天線及及制作工藝，實驗和醫療服務軟件的好選定。我的新成品組成利用率了MACOM不超60年的傳統化，只不過用GaN on Si水平保證規則和私人訂制徹底解決實施方案，以擁有老客戶最嚴苛的意愿。我的GaN on Silicon新成品，選取分立多硫化鋅管和整合圖像電壓放大器，選取0.5微米換算HEMT制作工藝，在最大工作熱熱效率，收獲值，收獲值平整度，熱效率工作方面展示出出眾的RF功效，