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　　Skyworks 的 ATN3580-03 一系列特定衰減器基帶處理器采取高功率功率電阻率硅基帶處理器上的復合膜功率功率電阻器技木，提供了精準度的衰減、高崎嶇不平度和高至 40 GHz 的優勝回波損失能。　　中心因素：　　貼膜高技術：在高耗油率內阻率硅基帶芯片上整合貼膜耗油率內阻器，帶來了很好的耗油率正確處理作用。　　穩定穩定 TEE 設計：的使用穩定穩定的 TEE 電阻功率設計加強組織領導帶寬寬特性。　　DC 衰減：全部的衰減器基帶芯片都指定的了電流(DC)衰減。　　概率標準之內：衰減器定制能夠滿足從 0.1 GHz 到 40 GHz 的概率標準之內內的功效規范要求。　　技木尺寸規格：　　標稱衰減：展示 1–10、12、15、20、30 和 40 dB 的衰減選擇。　　衰減容差：±0.25 dB。　　衰減寬闊度：　　0.1-12 GHz：0.2 dB　　0.1-26.5 GHz：0.4 dB　　0.1-40 GHz：0.6 dB　　回波耗損：　　0.1-12 GHz：23 dB　　0.1-26.5 GHz：18 dB　　0.1-40 GHz：15 dB　　回波損失：超過 16 dB，直到 40 GHz。　　電電機功率清理：高達到 1 W 的重復波(CW)電電機功率清理技能。　　使用強勢：　　高率率功效：制定需求高達到 40 GHz 的率標準，常用做高率選用。　　高回波損失：提高認識信息的高正品保證傳送。　　明確度高衰減：給予明確度高的衰減值和容差，需要滿足明確度高掌控走勢的強度的需求量。　　使用性：透明膜硅集成ic框架經久耐穿使用，適于長時間穩定性使用。

型號：

		Attenuator Fatness
NominalAttenuation (dB)	DCTolerance (dB)	0.1 to 12 GHz (dB)	0.1 to 26.5 GHz (dB)	0.1 to40 GHz (dB)	Outline Drawing	Part Number
1	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-01
2	±0.15	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-02
3	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-03
4	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-04
5	±0.25	±0.1	±0.25	±0.50	516-060	ATN3580-05
6	±0.25	±02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-06
7	±0.25	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-07
8	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-08
9	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-09
10	±0.35	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-10
12	±0.50	±0.2	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-12
15	±0.50	+02	±0.30	±0.50	518-060	ATN3580-15
20	±1.10	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-20
30	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-30
40	±1.60	±0.5	±1.0	±2.0	518-060	ATN3580-40