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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的首要結構特征主要包括：　　- 概率范疇：DC至5GHz　　- 輸入輸出電壓效率(P3dB)：在2.2GHz規律下，輸入輸出電壓效率相當于49W。　　- 直線增加收益：在2.2GHz速度下，主要表現增加收益為22.3dB。　　- 常見PAE3dB：在2.2GHz速率下，成功率萬代高達71.5%。　　- 事業交流電壓：48V。　　- 低熱導率封裝形式：在高馬力運作時有效性熱管散熱，提高器材的穩定可靠性和質保期。　　- 可以連續式波(CW)和電脈沖作業玩法　　QPD0030也行應該用于Doherty架構設計制作中，非常適當作小型的蜂窩、微蜂窩和有源外置天線系統軟件的移動通信基站設備電機效率變小器的最好級，也也行應用于微蜂窩移動通信基站設備電機效率變小器的推動器。該元器件封裝使用了市場規格的4x3mm表明貼裝QFN封裝，利于模塊化到現階段的微波射頻系統軟件設計制作中。

成都市立維創展科技公司得到不穩定性的供貨平臺平臺，優質供給Qorvo瓷質封口IC和裸集成電路芯片新產品，并大量的配備現貨平臺貨源，歡迎圖片資詢。