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UMS微波射頻CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

單晶體管以裸晶片的方式給出，所需冗余自動匹配電源線路能力更加充架構設計構思揮其前景股。當然，更是這樣設計構思基本特征傳遞了CHK5010-99F充裕的功用和很廣的應用軟件前景股。主耍特殊性收錄其很棒的網絡帶寬作用，適用超過12 GHz的電脈沖和接連波基本操作。研究背景GaN工藝，該設計構思可變現高輸出的和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時變現最佳選擇耐熱性。除此之外，該存儲芯片還具有0.90x0.80x0.1mm的寬敞尺寸圖，即便是在受限制的三維空間中也可能愉快集成系統。不僅要其專業技能的的性能，CHK5010-99F還不符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006基準，為了保證生態環保和防護。這讓用戶組在首選和選用廠品時無優，而無需害怕對條件的克反應。雖然，CHK5010-99F就是款直得的信賴的高效能GaN多晶體管，還具有寬泛的使用教育領域和經驗豐富的效能。其這令好印象感觸頗深的效能和合乎產業標準規定使其成微波射頻耗油率使用教育領域的安全選澤，為該教育領域救亡圖存了新的可以性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

杭州市立維創展科技是有限的公司的是有限的公司的授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。