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CREE的CMPA1D1E030D是款炭化硅單晶體上跟據氮化鎵 (GaN) 高網上遷入率多晶體管 (HEMT) 的單面微波加熱整合集成運放 (MMIC)；CMPA1D1E030D使用的0.25μm柵極長度加工過程高技術。與硅不同于較，GaN-on-SiC有更好優秀的耐熱性；砷化鎵或硅基氮化鎵；包函挺高的損壞場強；挺高的飽和點手機漂移利用率和挺高的導熱性常數。

癥狀

27 dB 小信號燈增益值值

30 W 主要表現 PSAT

做工作相電壓高至 40 V

高電壓擊穿場強

高溫環境度超控

選用域

小行星網絡通信上行速率鏈

護膚品的規格

描述英文：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 公率擴大器

極低頻次(MHz)：13750

最高的頻帶寬度(MHz)：14500

比較高值模擬輸出最大功率(W)：30

增益值值(dB)：26.0

速度（％）：25

做工作額定電壓(V)：40

結構類型：MMIC 裸片

二極管封裝類屬：Die

枝術：GaN-on-SiC

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