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CREE的CMPA1D1E025F是款氧化硅單晶硅上依照氮化鎵 (GaN) 高光學知識率多晶體管 (HEMT) 的單面紅外光一體化電路設計 (MMIC)；選購 0.25 μm 柵極尺碼加工新工藝。與硅差距較，GaN-on-SiC有著愈加優良的能力；砷化鎵或硅基氮化鎵；包函極高的電壓擊穿場強；極高的飽和智能漂移吸收率和極高的導電指數。CMPA1D1E025 常用 10 電纜；25 mm x 9.9 mm；合金材料/瓷器卡箍盤裝封要能構建最好的電力設備和熱增強性。

優點

24 dB 小警報收獲值

40 W 主要表現脈沖預警預警 PSAT

功率輸出功率高至 40 V

OQPSK 下 20 W 規則化熱效率

A/B類高收獲；科學規范率 50 Ω MMIC Ku 幾率段高耗油率增加器

app方面

軍工企業用和商業應用 Ku 波長預警雷達

設備年紀

詳情：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 頻譜 GaN MMIC 工作效率增加器

低點頻帶寬度(MHz)：13500

更高速度(MHz)：14500

高值打出馬力(W)：25

收獲值(dB)：26.0

工做速率（％）：16

載荷系數電流電壓(V)：40

分類：封裝形式的MMIC

裝封類型：法蘭片盤

高技術：GaN-on-SiC

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