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CMPA1C1D060D是款氫氟酸處理硅單晶硅上選擇氮化鎵 (GaN) 高電子無線轉入率晶胞管 (HEMT) 的片式紅外光集成系統三極管 (MMIC)；CMPA1C1D060D用0.25 μm柵極寬度打造方法。與硅相對于較，GaN-on-SiC具備愈來愈市場大的的的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；分為極高的穿透場強；極高的達到飽和狀態智能電子漂移的效率和極高的導熱性數值。

特證

要具備 26 dB 小手機信號收獲值

60 W 經典 PSAT

功率電流電壓高至 40 V

高擊穿電壓場強

高溫度度調節

采用各個領域

PTP 無線網通信系統

衛星影像通信網絡上漲路由協議

車輛標準

描素：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 耗油率縮放器

評均頻繁 (MHz)：12700

至高工作頻率(MHz)：13250

比較高值模擬輸出電機功率(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

利用率（％）：30

特殊輸出功率(V)：40

基本模式：MMIC 裸片

封裝類型行業類別：Die

技術水平適用：GaN-on-SiC