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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

顯著特點

7.9–8.4GHz運作

80WPOUT（典型案例值）

>13dB最大功率增益值值

33%主要表現波形PAE

50Ω內部人員配搭

<0.1dB效率調低

利用層面

北斗衛星通信設備

地板帶寬

服務品種

描敘：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；投入/輸出精度混搭GaNHEMT

很低頻次(MHz)：7900

最大頻次(MHz)：8400

非常高值打出熱效率(W)：50

增益值值(dB)：13.0

利用率（％）：33

固定電壓電流(V)：40

主要行式：二極管封裝主要行式分立氯化鈉晶體管

二極管封裝組織形式品類：活套法蘭盤

的技術用途：GaN-on-SiC