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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高光電子遷徙率晶胞管(HEMT)。具備著前所未現的導入，要能在DC-2.0GHz領域兩到保證是最好的的的瞬時光纖寬帶的性能。與硅或砷化鎵比起來較，CGHV40180具備有越來越不錯的性；包含更大些的穿透場強；更大些的飽合網絡漂移線速率更大些的導熱性常數。與Si和GaAs晶胞管優于較，CGHV40180還提供了更高一些的輸出容重和更寬的資源帶寬。CGHV40180選擇使用2高壓導線合金/瓷器法蘭盤盤和藥丸式封口，要能實行更好高壓電器和熱安全穩定分析。

特證

填寫不替換

180W(CW)平均瓦數

250W其最典型的瓦數

24dB典范小信號燈增益值值

28V和50V的使用

app業務領域

聲納探測系統

醫療機構健康

帶寬放縮器

消息安全衛生VHF-UHF

國防科技軍事體育通訊網儀器

設備規格型號

敘述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高光電移遷率硫化鋅管

至少聲音頻率(MHz)：0

最快幀率(MHz)：2000

較高值工作輸出額定功率(W)：200

收獲值(音貝)：24.0

質量（％）：70

電機額定功率電壓電流(V)：27

種類：芯片封裝分立納米線管

裝封門類：法蘭部盤、丸狀

技術性應用：GaN-on-SiC